Estudio de pozos cuánticos por fotoluminiscencia

Abstract

Los pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs tienen un enorme potencial como láseres de semiconductores, pero factores como rugosidad de las interfases, defectos internos, presiones localizadas o campos eléctricos locales, alteran el ancho del haz de luz láser con la consiguiente pérdida de intensidad y coherencia. El ensanchamiento puede ser de dos tipos, homogéneo e inhomogéneo. El primero de ellos se presenta a igual frecuencia de la luz láser y el segundo a distinta frecuencia, siendo por consiguiente el más indeseado. En este trabajo se estudió el ensanchamiento inhomogéneo del haz de luz a través de un análisis por fotoluminiscencia del ancho de los espectros a distintas temperaturas y distintas potencias de la fuerza excitatriz sobre muestras de heteroestructuras semiconductoras de InGaAs/InAlAs.

InGaAs / InAlAs quantum wells have enormous potential as semiconductor lasers, but factors such as roughness of the interfaces, internal defects, localized pressures or local electric fields, alter the width of the laser light beam with the consequent loss of intensity and coherence. The widening can be of two types, homogeneous and inhomogeneous. The first one occurs at the same frequency of laser light and the second at a different frequency, being therefore the most unwanted. In this work, the inhomogeneous broadening of the light beam was studied through a photoluminescence analysis of the width of the spectra at different temperatures and different powers of the excitatory force on samples of semiconductor heterostructures of InGaAs / InAlAs.