Estudio de pozos cuánticos por fotorreflectancia

Abstract

Los pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs tienen un enorme potencial como láseres de semiconductores, pero factores como la rugosidad de las interfases, defectos internos, presiones localizadas o campos eléctricos locales alteran el ancho del haz de luz láser con la consiguiente pérdida de intensidad y coherencia. El ensanchamiento puede ser de dos tipos, homogéneo e inhomogéneo. El primero de ellos se presenta a igual frecuencia de la luz láser y el segundo a distinta frecuencia, siendo por consiguiente el más indeseado. En este trabajo se pretende estudiar el ensanchamiento inhomogéneo del haz de luz a través del análisis del parámetro de ensanchamiento de los espectros de fotorreflectancia a distintas temperaturas y sobre muestras de heteroestructuras semiconductoras de InGaAs/InAlAs.

The InGaAs/InAlAs quantum wells offer a huge potential as lasers of semiconductors, but factors as interface roughness, internal defects, localized pressures or local electrical fields alter the laser light beam width and consequently the loss of intensity and coherence.The broadening could be of two types: homogeneous and inhomogeneous. The first results from an equal laser light frequency, and the latter from different frequencies, that is to say, undesirable. In this work it is sought to study the inhomogeneus broadening of the sheaf of light through the analysis of the broadening parameter from the photoreflectance spectra to different temperatures and on samples of semiconductors heterostructures of InGaAs/ InAlAs.