Icono govco
 

Maestría en Ciencias Físicas

URI permanente para esta colecciónhttps://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/168

Navegar

Envíos recientes

Mostrando 1 - 2 de 2
  • Miniatura
    PublicaciónAcceso abierto
    Ecuaciones generalizadas de diferencias finitas basadas en series de Taylor para el cálculo de propiedades ópticas no lineales
    (Universidad de La Guajira, 2017) De Luque Gómez, Julio Cosy; Cubillán Acosta, Néstor José; Grupo EFIPRA
    En este trabajo se dedujo un nuevo conjunto de ecuaciones de diferencias finitas basadas en la serie de Taylor para el cálculo de propiedades ópticas no lineales de sistemas moleculares. Las expresiones se obtuvieron a partir de las ecuaciones generalizadas de diferencias finitas con grado y exactitud arbitrarios, corrigiendo el orden de magnitud del error de truncamiento en las componentes no-axiales de las hiperpolarizabilidades. Las mismas se validaron calculando las propiedades ópticas no lineales en 2 grupos de moléculas cuyos valores de primera y segunda hiperpolarizabilidad se han medido experimentalmente. Las moléculas fueron la 4-nitro-anilina, 4-ciano-fenol, 4,4’-amino-nitro-estilbeno y 4,4’-ciano-metoxi-estilbeno. Los valores de energía de cada sistema en función del campo eléctrico se calculó por métodos de teoría del funcional de la densidad. Los resultados se compararon con los obtenidos con las ecuaciones de Kurtz y col. [H.A. Kurtz et. al., J. Comp. Chem., 1990, 11(1), 82], y Kamada y col. [K. Kamada et al., J. Phys. Chem. A, 2000, 104(20), 4723]. El mejor desempeño en comparación con los reportes teóricos se obtuvieron con los funcionales HSEH1PBE, MN12SX y N12SX. Con relación al experimento los funcionales HSEH1PBE y N12SX, mostraron los mejores valores. En conclusión, las ecuaciones generalizadas representan una alternativa viable para el cálculo de la primera ( ) y segunda ( ) hiperpolarizabilidad con precisión y exactitud ajustables.
  • Miniatura
    PublicaciónAcceso abierto
    Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.
    (Universidad de La Guajira, 2019) Jácome Mejía, Jesús Alfonso; Zambrano Rojas, Samuel
    En este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma.