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Examinando por Autor "Zambrano Rojas, Samuel Eligio"

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    PublicaciónAcceso abierto
    Estudio de pozos cuánticos por fotoluminiscencia
    (Universidad de La Guajira, 2022) Bertel Palencia, Ramón de Jesús; Zambrano Rojas, Samuel Eligio; Prías Barragán, Jhon Jairo
    Los pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs tienen un enorme potencial como láseres de semiconductores, pero factores como rugosidad de las interfases, defectos internos, presiones localizadas o campos eléctricos locales, alteran el ancho del haz de luz láser con la consiguiente pérdida de intensidad y coherencia. El ensanchamiento puede ser de dos tipos, homogéneo e inhomogéneo. El primero de ellos se presenta a igual frecuencia de la luz láser y el segundo a distinta frecuencia, siendo por consiguiente el más indeseado. En este trabajo se estudió el ensanchamiento inhomogéneo del haz de luz a través de un análisis por fotoluminiscencia del ancho de los espectros a distintas temperaturas y distintas potencias de la fuerza excitatriz sobre muestras de heteroestructuras semiconductoras de InGaAs/InAlAs.
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    PublicaciónAcceso abierto
    Estudio de pozos cuánticos por fotorreflectancia
    (Universidad de La Guajira, 2022) Zambrano Rojas, Samuel Eligio; Bertel Palencia, Ramón de Jesús; FONTHAL, GERARDO
    Los pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs tienen un enorme potencial como láseres de semiconductores, pero factores como la rugosidad de las interfases, defectos internos, presiones localizadas o campos eléctricos locales alteran el ancho del haz de luz láser con la consiguiente pérdida de intensidad y coherencia. El ensanchamiento puede ser de dos tipos, homogéneo e inhomogéneo. El primero de ellos se presenta a igual frecuencia de la luz láser y el segundo a distinta frecuencia, siendo por consiguiente el más indeseado. En este trabajo se pretende estudiar el ensanchamiento inhomogéneo del haz de luz a través del análisis del parámetro de ensanchamiento de los espectros de fotorreflectancia a distintas temperaturas y sobre muestras de heteroestructuras semiconductoras de InGaAs/InAlAs.