Zambrano Rojas, SamuelJácome Mejía, Jesús Alfonso2022-04-272022-04-272019https://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/381Incluye índice de figuras, tablas y fotografías.En este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma.Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados. INTRODUCCION OBJETIVOS Objetivos Generales Objetivos Específicos FUNDAMENTACION TEORICA 2.1 Generalidades sobre el GaAs y el InP 2.2 Semiconductores intrínsecos. 2.3 Semiconductores Extrínsecos. 2.3.1 Semiconductores tipo n. 2.3.2 Semiconductores tipo p. 2.4 Nivel de Fermi. 2.5 Fotoluminiscencia 2.5.1 Termalización 2.5.2 Procesos Básicos de Recombinación 2.5.3 Interacción de la Luz con la Muestra 2.5.4 Procesos de Recombinación Radiativa más importantes 2.6 Técnica Espectroscopia por Fotoluminiscencia MARCO METODOLOGICO 3.1 Descripción de la muestra 3.2 Proceso de Limpieza de las muestras 3.2.1 Limpieza con Acetona 3.2.2 Limpieza con Acido 3.3 Sistema de Fotoluminiscencia. 3.3.1 Descripción del Sistema. 3.3.2 Distribución del Sistema. 3.3.3 Integrado de Exploración. 3.3.4 Análisis espectral. RESULTADOS Y ANALISIS 4.1 Muestra de GaAs sin Dopar 4.1.1 Espectro de Línea de PL 4.1.2 Mapa de PL 4.1.3 Mapas de Espectros 4.2 Muestras de Dopadas 4.2.1 Muestra de GaAs:Cr 4.2.2 Muestra de GaAs:C 4.2.3 Muestra de InP:S CONCLUSIONES82 páginasapplication/pdfspaDerecho Reservados Universidad de La Guajirahttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Trabajo de grado - Maestríainfo:eu-repo/semantics/openAccessAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0)OptoelectrónicaElectrónicaFotoluminiscenciaSemiconductores