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Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.

dc.contributor.advisorZambrano Rojas, Samuel
dc.contributor.authorJácome Mejía, Jesús Alfonso
dc.date.accessioned2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.available2022-04-27T16:27:01Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttps://repositoryinst.uniguajira.edu.co/handle/uniguajira/381
dc.descriptionIncluye índice de figuras, tablas y fotografías.spa
dc.description.abstractEn este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia (RPM2000). Se realizó un barrido sobre las muestras, del cual se obtuvieron resultados para los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. Haciendo un proceso de decapado químico mejoraron las mediciones, debido a que las muestras al estar expuestas al medio ambiente en condiciones normales, se contaminan con la humedad, carbono y el oxígeno originándose en estas un proceso de envejecimiento formando una capa de óxido superficial que debe ser removida, ya que la respuesta óptica de un material envejecido genera defectos y bandas muy anchas de PL. A partir de la técnica de fotoluminiscencia aplicada a las muestras semiconductoras se encontró información vital sobre la uniformidad de la composición del dopamiento, la calidad del material y los defectos de la misma.spa
dc.description.tableofcontentsMapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados. INTRODUCCION OBJETIVOS Objetivos Generales Objetivos Específicos FUNDAMENTACION TEORICA 2.1 Generalidades sobre el GaAs y el InP 2.2 Semiconductores intrínsecos. 2.3 Semiconductores Extrínsecos. 2.3.1 Semiconductores tipo n. 2.3.2 Semiconductores tipo p. 2.4 Nivel de Fermi. 2.5 Fotoluminiscencia 2.5.1 Termalización 2.5.2 Procesos Básicos de Recombinación 2.5.3 Interacción de la Luz con la Muestra 2.5.4 Procesos de Recombinación Radiativa más importantes 2.6 Técnica Espectroscopia por Fotoluminiscencia MARCO METODOLOGICO 3.1 Descripción de la muestra 3.2 Proceso de Limpieza de las muestras 3.2.1 Limpieza con Acetona 3.2.2 Limpieza con Acido 3.3 Sistema de Fotoluminiscencia. 3.3.1 Descripción del Sistema. 3.3.2 Distribución del Sistema. 3.3.3 Integrado de Exploración. 3.3.4 Análisis espectral. RESULTADOS Y ANALISIS 4.1 Muestra de GaAs sin Dopar 4.1.1 Espectro de Línea de PL 4.1.2 Mapa de PL 4.1.3 Mapas de Espectros 4.2 Muestras de Dopadas 4.2.1 Muestra de GaAs:Cr 4.2.2 Muestra de GaAs:C 4.2.3 Muestra de InP:S CONCLUSIONESspa
dc.format.extent82 páginasspa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospaspa
dc.publisherUniversidad de La Guajiraspa
dc.rightsDerecho Reservados Universidad de La Guajiraspa
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/spa
dc.titleMapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.spa
dc.typeTrabajo de grado - Maestríaspa
dc.description.degreelevelMaestríaspa
dc.description.degreenameMagíster en Ciencias Físicasspa
dc.publisher.facultySUE CARIBEspa
dc.publisher.placeDistrito Especial, Turístico y Cultural de Riohachaspa
dc.publisher.programMaestría en Ciencias Físicasspa
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dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.creativecommonsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional (CC BY-NC-SA 4.0)spa
dc.subject.armarcOptoelectrónica
dc.subject.armarcElectrónica
dc.subject.armarcFotoluminiscencia
dc.subject.armarcSemiconductores
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_bdccspa
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