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Mapeamiento por fotoluminiscencia de substratos semiconductores de GaAs y InP dopados y no dopados.
(Universidad de La Guajira, 2019)
En este trabajo de investigación se hizo un estudio utilizando la técnica de caracterización óptica de fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente (300ºK). Se analizaron muestras semiconductoras de GaAs e InP dopadas y ...